AUTHOR : Uber
PUBLISHED : 2020-01-05 09:51

Samsung har nu verdens første 3nm GAAFET process


Som rapporteret af den koreanske Maeil Economy tidligere i denne uge, er det lykkedes Samsung at fremstille en prototype af verdens første 3nm semiconductor. Ifølge rapporten er Samsungs mål at blive verdens førende halvlederproducent inden 2030, og udviklingen af den nye 3nm GAAFET, er bestemt et stort ryk i den rigtige retning.

samsung_foundry_chip_678_678x452


Processen på 3 nm er baseret på Gate All Around (GAAFET) teknologien, der adskiller sig fra industristandarden for FinFET. Denne ændring i teknologi reducerer den samlede silicon-størrelse med hele 35%, mens den også stiller 50% mindre strømkrav. Dette muliggør en forøgelse af ydelsen på imponerende 33% over allerede eksisterende FinFET-processen på 5 nm.

GAAFET-designet adskiller sig markant fra FinFET-designet, og GAAFET-designet er bygget op omkring at have fire sider af kanalen, som sikrer, at strømtabet reduceres. Dette forbedrer kontrollen over dens interne kanal, som er et grundlæggende trin, når man reducerer proces noden. Dette design giver mulighed for et mere effektivt transistor design sammen med den samlede mindre fysiske størrelse, hvilket muliggør et massivt spring i performance pr. Watt sammenlignet med en 5 nm FinFET-process.

qwcWZGc6j7hb6QZqHwmvNa-650-80.jpg

Samsung oplyste tidligere, at de ville åbne for en 4 nm GAAFET-proces allerede i 2020, mens de såkaldte ”industry watchers” som blandt andet Garner vicepræsident Samuel Wang, har været skeptiske over, om GAAFET-chips overhovedet ville nå at komme i masseproduktion før 2022. Dette tyder på Samsung nu gør til skamme, da det nu ser ud som Samsung bringer GAAFET-chips til produktionsniveauet tidligere end forventet.

Samsungs optimistiske roadmap for 3 og 4nm process blev oprindeligt betragtet som ekstremt ambitiøs. Hvis Samsung nu har en fungerende prototype på 3 nm processen, kan dette muligvis indikere, at Samsung muligvis er tættere end oprindeligt forventet, og dermed har en fremskyndet produktion undervejs.

ces_promo.png

Da Samsung oprindeligt begyndte at arbejde på 3 nm GAAFET-processen for et år siden, var denne 3 nm GAAFET-proces oprindeligt planlagt til at starte masseproduktion i 2021. 

Dette kommer i kølvandet på det 7 nm kommercielle samarbejde med AMD, som har inddraget Samsung i designet af deres Ryzen 3000 serie, så mon ikke vi også vil se et samarbejde mellem de to mastodonter på den nye 3nm GAAFET node.


Source & Image credit:

Korean Maeil Economy, Samsung